История ЗАО "НИИ Материаловедения"

Научно-исследовательский институт материаловедения в лице своего предшественника НИИ-361 основан 25.06.1963 г., приказом Госкомитета по электронной технике при Совете Министров СССР № 155.
Основной задачей НИИ-361 (НИИ МВ) являлось «изучение, определение направлений работ в области создания новых специальных материалов и технологических процессов…».

Первый директор НИИМВ

Основная деятельность института состоит из 3-х направлений: чистые металлы и сплавы, металлоорганические соединения, полупроводниковые полимеры, элементарные полупроводниковые соединения и полупроводники. В последующие годы номенклатура разрабатываемых материалов расширилась в десятки раз и стала включать в себя монокристаллы полупроводниковых и оксидных соединений и эпитаксиальные пленки на их основе, фотошаблонные заготовки и т.д.
1963 год. Работа института начиналось в корпусе школы-интерната в 1-ом микрорайоне г.Зеленограда.
1964 год. Введено в эксплуатацию первое технологическое и контрольно-измерительное оборудование выпущен первый образец окиси германия, однослойных эпитаксиальных структур, резистивных сплавов, диэлектрических материалов, чистых металлов селена, серы, теллура и кадмия.
1966 год. Приказом Министра электронной промышленности СССР № 24 от 12.02.1966 г. НИИ-361 было присвоено новое наименование: «Научно-исследовательский институт Материаловедения» (НИИМВ), на базе которого на основании Приказа Министра № 154 от 25.03.1966 г. был образован завод, которому в 1967 году было присвоено наименование «Элма».
1970 год. Материалы, выпускаемые предприятием, были аттестованы на Государственный Знак Качества. Более 90% выпускаемой предприятием продукции было аттестовано по высшей категории качества.
Продукция предприятия экспонируется на международные выставки. Материалы, представленные на выставках, получают высокую оценку зарубежных специалистов.
1976 год. Создан отдел физико-химических исследований и высокоточных измерений, а также организован аналитический контроль широкого спектра материалов, используемых при производстве изделий электронной техники: кремния, соединений типа А₃В₅ и А₂В₆, сапфира, материалов для ЗУ на ЦМД и гибридных ИС, технологических сред и др. Благодаря этому было разработано более 250 методик контроля примесного и основного состава, а также контроля свойств выпускаемых материалов.
Предприятие в рамках «Всесоюзной комплексной целевой программе (КЦП) «Космическое материаловедение» проводит работы по разработке, изготовлению и поставке на борт космических станций «Салют-6» и «Мир» установок выращивания кристаллов и блоков управления: «Оптизон», «Кратер», «Оникс».
На аппаратуре, установленной на борту космической станции, было осуществлено большое количество экспериментов по выращиванию кристаллов особо чистых полупроводниковых соединений, что расширило научное понимание процессов их выращивания в условиях невесомости, формирования их структуры, распределения примесного состава и других параметров.
С 1979 по 1987 годы на предприятии были проведены разработки и организовано производство кремниевых пластин и эпитаксиальных структур со «скрытыми слоями», монокристаллов и полированных пластин полупроводниковых соединений А₃В₅ и А₂В₆, жидкокристаллических индикаторов, металлоорганических соединений для процессов микроэлектроники, электронных резистов, монокристаллов и полированных пластин искусственного сапфира, структур «кремний на сапфире» для радиационно-стойких БИС, композиционных паст и мелкодисперсных порошков для гибридной технологии, интегральных схем магнитной памяти, фотошаблонных заготовок.

Коллектив предприятия НИИМВ

В 1994 году институт преобразуется в Закрытое Акционерное Общество «НИИ Материаловедения».
В 1999 г. специалистами НИИ МВ проведены исследования и разработана технология изготовления активных лазерных элементов на основе иттрий-скандий–галлиевого граната, легированного хромом и неодимом для лазеров с высокой средней мощностью.
В 2001 г. исследована и разработана технология изготовления высокоэффективных лазерных и оптических кристаллов на основе монокристаллов граната.
Организована разработка технологии изготовления фотошаблонных заготовок на основе кварцевого стекла для изготовления БИС и СБИС с топологической нормой 0,35-0,5мкм.
В 2003 г. Разработана технология изготовления стриповых и падовых кремниевых детекторов, предназначенных для использования в космическом эксперименте.
В 2004 г. начаты работы по ряду новых направлений:

получение кристаллических подложек на основе монокристаллов граната для изготовления лазерных планарных элементов;
исследование и создание экспериментальных образцов волноведущих элементов на основе эпитаксиальных структур железоиттриевого граната (ЖИГ) для обеспечения СВЧ - средств радиоэлектронной аппаратуры.

Проведены поисковые исследования и разработан матричный ВТСП - приемник с магнитооптической системой формирования изображений для нового поколения тепловизионных приборов.
С 2006г. НИИ МВ проводит исследования и разработку технологий по следующим направлениям:

разработка технологии выращивания крупногабаритных монокристаллов редкоземельных галлиевых гранатов;
разработка технологии получения комплекса монокристаллов широкозонных полупроводников для элементной базы оптоэлектроники, дозиметрии, медицинской аппаратуры, приборов досмотровой техники.

С 2007 г. и по настоящее время НИИ МВ продолжает исследования в области материалов для микроэлектроники:

поисковые исследования создания крупногабаритных активных лазерных сред дискового типа на основе монокристаллов гадолиний - галлиевого граната для высокомощных лазерных сред с диодной накачкой;
разработка технологии и изготовление кремниевых детекторов для блока регистрирующей аппаратуры научной аппаратуры «НУКЛОН»;
разработка технологии получения особочистого синтезированного материала Cd_1-xZn_xTe;
теоретические и экспериментальные исследования путей создания эпитаксиальных пленочных структур железоиттриевого граната с толщинами от 10 до 40 мкм и намагниченностью насыщения не более, включая структуры с пониженной намагниченностью, для применения в магнитотранзисторах;
разработка волноведущих элементов магнитостатических волн на основе эпитаксиальных структур ЖИГ для обеспечения СВЧ - средств радиоэлектронной аппаратуры нового поколения.