МАТЕРИАЛЫ НА ОСНОВЕ СОЕДИНЕНИЙ АIIIВV
- Разработка и изготовление поликристаллического фосфида галлия
 - Разработка и изготовление поликристаллического фосфида индия
 - Разработка и производство монокристаллического фосфида галлия, легированного серой, цинком, нелегированного диаметром 2”,3”
 - Разработка и производство монокристаллического фосфида индия, легированного железом, цинком, нелегированного диаметром 2”,3”
 - Разработка и изготовление обезвоженного борного ангидрида
 - Разработка и изготовление оптических элементов на основе монокристаллов CdMnTe дляизоляторов и вращателей Фарадея
 
ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ФОСФИДА ГАЛИЯ
      •  Светодиоды;
      •  Приемники УФ - излучения;
      •  Лазеры УФ диапазона;
      •  Оптические линзы HIRES (High Index    Resolution    Enhancement by Scattering).
ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ФОСФИДА ИНДИЯ
      •  СВЧ транзисторы;
      •  Приемники излучения (фотодиоды, солнечные батареи);                
      •  Активные элементы в объемной голографии;     инжекционные лазеры 
      •  Лазерные диоды;
      •  Генераторы СВЧ техники.
ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ CdMgTe
      •  Оптические элементы изоляторов и вращателей Фарадея (630÷1100)нм;
      •  Спинтроника;
      •  Волоконно-оптические линии передачи информаци.
						
						


