КРЕМНИЕВЫЕ ДЕТЕКТОРЫ И ФОТОДИОДЫ


  • Разработка и изготовление кремниевых детекторов ядерного и рентгеновского излучения для российских и международных экспериментов в области физики высоких энергий
  • Разработка и изготовление быстродействующих p-i-n фотодиодов для радиометрии и спектрометрии
  • Разработка и изготовление фотодиодных матриц 

 

ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ

  • Физика космических лучей;
  • Физика высоких энергий;
  • Ядерная физика;
  • Медицина;
  • Рентгеновский контроль грузов и багажа;
  • Специальное применение.

 

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Кремниевые стриповые детекторы для измерения потерь энергии, энергии, координаты ядерных частиц

Параметры
Чувствительная площадь, см2 0,1-40
Толщина детектора, мкм 200 - 1500
Форма детектора квадрат, прямоугольник, трапеция и др. по спецификации заказчика
Рабочее напряжение (до облучения), В 60-600
Количество стрипов 16 - 1500
Средний ток утечки, нА/см2 10
Съем сигнала прямой; с емкостной связью
Мода работы работа при полном обеднении

 

Кремниевые высокочувствительные фотодиоды и фотодиодные матрицы

Спектральная характеристика
Диапазон спектральной фоточувствительности, нм 400 – 1050
Длина волны L p для максимальной фоточувствительности, нм 950
Фоточувствительность при L = Lp, A/W 0,5

Темновые токи: Фотодиоды, нА/см2

(U = -120 B, S < 2 см2) 1 - 3
(U = -120 B, S до 5 см2) 5
Фотодиодные матрицы (ФДМ)
рА/элемент мак., U = 10 mV
до 8

Времена нарастания:

Фотодиоды 2 - 5 нс
ФДМ 0,5 - 1 мкс
(r1 = 1кОм)

Размеры:

Фотодиоды активная площадь S = 0,1 - 5 см 2
квадратные, прямоугольные
ФДМ 16-ти элементные, чувствительная площадь ~ 0,05 см2/элемент

 

Кремниевые детекторы заряженных частиц с малыми токами утечки

Параметры
Активная площадь, S, см2 0,1 - 30
Толщина активного слоя, мкм 280 - 500
Форма квадрат, прямоугольник, круг
Рабочее напряжение, В 60-120 (станд), до 300 В
Ток утечки, нА/см2 1 - 2 (S<=2 см2
5 (S до 30 см2)
Толщина входного окна, нм 20 (высокое разрешение) 40 (стандартное)
Применение

Физика высоких энергий
Анализ пучков частиц
Бытовая дозиметрия

 

Кремниевые быстродействующие фотодиоды с высокой чувствительностью

Параметры
Активная площадь, S, см2 0,1 - 5
Толщина активного слоя, мкм 280 - 500
Форма квадрат, прямоугольник, круг и
др.по спецификации Заказчика
Рабочее напряжение, В 60 - 120 (стан.), до 300
Обратный ток, нА/см2 1 - 2 (S<=2 см2)
5 (S до 30 см2)
Время нарастания сигнала, нс 2
Время спада сигнала, нс 2
Спектральный диапазон измерения длин волн L, нм 400 - 1050
Квантовая эффективность (полная):
L = 550 нм 0,6
L = 400 нм 0,4